高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
张金风
中科院分区：
文献类型：
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作者：
郝跃;段焕涛;倪金玉;张进成;张金风
