Silicon epitaxial growth rate increased by adding SiHx to a SiHCl3-H2 system
Silicon epitaxial growth rate increased by adding SiHx to a SiHCl3-H2 system
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通过在 SiHCl3-H2 系统中添加 SiHx 来提高硅外延生长速率
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hitoshi Habuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toru Watanabe;Ayami Yamada;Ayumi Saito;Ayumi Sakurai;Hitoshi Habuka
