Ambipolar Organic Field-Effect Transistors Based on a Narrow Bandgap Semicon ductor with Balanced Hole and Electron Mobilities
Ambipolar Organic Field-Effect Transistors Based on a Narrow Bandgap Semicon ductor with Balanced Hole and Electron Mobilities
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基于具有平衡空穴和电子迁移率的窄带隙半导体的双极有机场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kubo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荒川美紀;加治屋大介;齋藤健一;T. Kubo
