Theoretical study on generation and atomic structures of stacking-fault tetrahedra in Si film growth
Theoretical study on generation and atomic structures of stacking-fault tetrahedra in Si film growth
复制标题
硅薄膜生长中堆垛层错四面体的生成及原子结构的理论研究
DOI：
10.1016/j.tsf.2004.06.049
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kobayashi;T. Nakayama
