InGaAs Photodiode Array on Silicon by Heteroepitaxy
InGaAs Photodiode Array on Silicon by Heteroepitaxy
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硅上异质外延 InGaAs 光电二极管阵列
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Klamkin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Song;Bei Shi;S. Brunelli;J. Klamkin
用异质外延方法在Si衬底上实现了InGaAs光电二极管阵列，在室温下，在1550 nm处的暗电流低至5.71nA，响应度高至0.64A/W。
InGaAs photodiode arrays were realized on Si by heteroepitaxy, demonstrating a dark current as low as 5.71 nA at -1 V and responsivity as high as 0.64 A/W at 1550 nm and at room temperature.