Toshinori Taishi: "Dislocation behavior in heavily germanium doped silicon crystal"Materials Science in Semiconductor Processing. 5. 409-412 (2003)
Toshinori Taishi: "Dislocation behavior in heavily germanium doped silicon crystal"Materials Science in Semiconductor Processing. 5. 409-412 (2003)
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Toshinori Taishi：“重掺锗硅晶体中的位错行为”半导体加工材料科学。
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