An Analysis of Temperature Impact on MOSFET Mismatch

An Analysis of Temperature Impact on MOSFET Mismatch
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温度对 MOSFET 失配影响的分析

DOI：
10.1109/icmts.2009.4814610
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发表时间：
2009
期刊：
2009 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
影响因子：
--
通讯作者：
L. Bortesi
L. Bortesi
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
S. Mennillo;Alessio Spessot;L. Vendrame;L. Bortesi

文献摘要

被引文献

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总结了几种技术的研究结果，研究了温度对MOSFET失配的影响，突出了电流增益匹配特性随温度的改善，对这种现象提出了可能的物理解释，并提出了用于蒙特卡罗失配模拟的BSIM3模型实现。
Summarizing the results collected on several technologies, we have studied the impact of temperature on MOSFET mismatch, highlighting the improvement of current gain matching properties with temperature, suggesting a possible physical explanation to this phenomenon and proposing a BSIM3 model implementation for Monte Carlo mismatch simulations.