深亚微米MOSFET阈值电压模型

深亚微米MOSFET阈值电压模型
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
微电子学,vol. 35, no. 1,pp:40-43, 2005 (EI收录)
影响因子:
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通讯作者:
邹晓
邹晓
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
李艳萍;徐静平*;陈卫兵;邹晓

文献摘要

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