Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy
Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy
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使用油浸拉曼光谱对硅衬底上外延生长的 SiGe 进行选择性 Ar 离子注入的模式相关各向异性应力评估
DOI：
10.7567/jjap.56.051301
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发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shotaro Yamamoto;Daisuke Kosemura;Kazuma Takeuchi;Seiya Ishihara;Kentarou Sawano;Hiroshi Nohira;and Atsushi Ogura
