Dual-gate AlGaN/GaN MIS-HEMTs using Si3N4 as the gate dielectric
Dual-gate AlGaN/GaN MIS-HEMTs using Si3N4 as the gate dielectric
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使用 Si3N4 作为栅极电介质的双栅极 AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
Yue Hao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tao Gao;Ruimin Xu;Kai Zhang;Yuechan Kong;Jianjun Zhou;Cen Kong;Xun Dong;Tangsheng Chen;Yue Hao
