N.Ohshima: "Initial growth of Ge films on Si(111)7×7 surfaces by gas source molecular beam epitaxy." Appl.Surf.Sci.60/61. 120-125 (1992)
N.Ohshima: "Initial growth of Ge films on Si(111)7×7 surfaces by gas source molecular beam epitaxy." Appl.Surf.Sci.60/61. 120-125 (1992)
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N.Ohshima：“通过气源分子束外延在 Si(111)7×7 表面上初始生长 Ge 薄膜。”Appl.Surf.Sci.60/61 (1992)。
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