H.Uji,S.Tatsukawa,S.Matsumoto,H.Higuchi: "Electrical characteristics of Si/√3x√3/Si (111) structures by gas-source MBE" J.Crystal Growth. 157. 105-108 (1995)
H.Uji,S.Tatsukawa,S.Matsumoto,H.Higuchi: "Electrical characteristics of Si/√3x√3/Si (111) structures by gas-source MBE" J.Crystal Growth. 157. 105-108 (1995)
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H.Uji、S.Tatsukawa、S.Matsumoto、H.Higuchi：“气源 MBE 的 Si/√3x√3/Si (111) 结构的电特性”J.Crystal Growth。157. 105-108 (1995) ）
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