T.Fukazawa,et al.: "High Rate and Highly Selective SiO_2 Etching Employing Inductively Coupled Plasma" Jpn.J.Appl.Phys.33. 2139-2144 (1994)
T.Fukazawa,et al.: "High Rate and Highly Selective SiO_2 Etching Employing Inductively Coupled Plasma" Jpn.J.Appl.Phys.33. 2139-2144 (1994)
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T.Fukazawa等人：“采用感应耦合等离子体的高速率和高选择性SiO_2蚀刻”Jpn.J.Appl.Phys.33。
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