Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow
Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow
复制标题
基于热流控制阻变存储器中细丝生长模式
DOI：
10.35848/1347-4065/abd9d3
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qixin GUO;Shunsuke MOTOMURA;Katsuhiko SAITO;Tooru TANAKA;Qixin GUO;Qixin GUO;Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita
