Temperature dependent pulsed IV and RF characterization of β -(Al x Ga 1−x ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 hetero-structure FET with ex situ passivation
Temperature dependent pulsed IV and RF characterization of β -(Al x Ga 1−x ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 hetero-structure FET with ex situ passivation
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采用异位钝化的 β -(Al x Ga 1âx ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 异质结构 FET 的温度相关脉冲 IV 和 RF 特性
DOI：
10.1063/5.0083657
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Singisetti, Uttam
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saha, Chinmoy Nath;Vaidya, Abhishek;Singisetti, Uttam
