Accuracy evaluation and mechanism crossover of single-electron transfer in Si tunable-barrier turnstiles
Accuracy evaluation and mechanism crossover of single-electron transfer in Si tunable-barrier turnstiles
复制标题
硅可调势垒旋转门单电子转移精度评估及机制交叉
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Yamahata;K. Nishiguchi;A. Fujiwara
