Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
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电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masashi Kato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaki Sudo;Yukari Ishikawa;Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara;and Masashi Kato
