Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge0.92Sn0.08-δ-Layers at the tunneling junction
Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge0.92Sn0.08-δ-Layers at the tunneling junction
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垂直 Ge 异质结栅绕隧道场效应晶体管，隧道结处具有 Ge0 92Sn0 08-δ 层
DOI：
10.1109/istdm.2014.6874652
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. M. Tropper
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Schulze;A. Blech;I. A. Fischer;D. Hahnel;S. Naasz;E. M. Tropper
