Temperature-Independent Hole Mobility in Field-Effect Transistors Based on Liquid-Crystalline Semiconductors
Temperature-Independent Hole Mobility in Field-Effect Transistors Based on Liquid-Crystalline Semiconductors
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基于液晶半导体的场效应晶体管中与温度无关的空穴迁移率
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Tamaoki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Funahashi;F. Zhang;and N. Tamaoki
