Characteristics of GaAs Schottky in-plane gate quantum wire transistors for switching of quantized conductance
Characteristics of GaAs Schottky in-plane gate quantum wire transistors for switching of quantized conductance
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用于量子电导开关的砷化镓肖特基面内栅量子线晶体管的特性
DOI：
10.1016/s0921-4526(99)00376-2
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okada
