Polysilicon metal-insulator-semiconductor electron emitter
Polysilicon metal-insulator-semiconductor electron emitter
复制标题
多晶硅金属-绝缘体-半导体电子发射体
DOI：
10.1116/1.1864060
复制
发表时间：
2005
影响因子：
1.4
通讯作者：
P. Benning
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Govyadinov;T. Novet;D. Pidwerbecki;S. Ramamoorthi;James A. Smith;John Y. Chen;C. Otis;D. Neiman;P. Benning
平面金属-绝缘体-半导体（MIS）电子发射器设计简单，易于制造。发射器对环境相对不敏感，允许它们在比氧化物电子或微尖场发射器所需的更差的真空条件下操作。在大多数文献报道中，MIS和金属-绝缘体-金属器件的发射电流受到限制（400个孔闪烁μm2，电子可以通过它们发射）。
The flat metal-insulator-semiconductor (MIS) electron emitter is a simple design, allowing easy manufacture. The emitters are relatively insensitive to environment, allowing them to operate in poorer vacuum conditions than are necessary for oxide thermionic or microtip field emitters. In most literature reports, MIS and metal-insulator-metal devices are limited in emission current ( 400pores∕μm2 through which electrons a...