Monte Carlo Study of Coupled SO Scattering in Si MOSFETs with High κ- Dielectric Gate Stacks: Hot Electron and Disorder Effects
Monte Carlo Study of Coupled SO Scattering in Si MOSFETs with High κ- Dielectric Gate Stacks: Hot Electron and Disorder Effects
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具有高 κ- 电介质栅极堆栈的 Si MOSFET 中耦合 SO 散射的蒙特卡罗研究：热电子和无序效应
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Asenov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Barker;J. Watling;A. Brown;Scott Roy;P. Zeitzoff;G. Bersuker;A. Asenov
描述了一种用于模拟实际高k栅堆叠Si MOSFET中电子-声子-等离子体散射的蒙特卡罗方案，该方案考虑了热电子效应、界面边界粗糙度和介电层不均匀性对电子-声子-等离子体散射率的调制。
A Monte Carlo scheme is described for simulating electron-phonon-plasmon scattering in realistic high-κ gate stack Si MOSFETs that accounts for hot electron effects, modulation of the electron-phonon-plasmon scattering rates by the interface boundary roughness and inhomogeneity of the dielectric layers.