蛍光X線ホログラフィーによる強磁性半導体ZnSnAs2:Mnの局所構造解析
蛍光X線ホログラフィーによる強磁性半導体ZnSnAs2:Mnの局所構造解析
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使用荧光 X 射线全息术分析铁磁半导体 ZnSnAs2:Mn 的局部结构
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細川伸也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
林好一;内富直隆;八方直久;細川伸也
