J.Brault: "Characteristics of AIN growth on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy"Phys. Stat. Sol. (b). 240, No. 5. 314-317 (2003)
J.Brault: "Characteristics of AIN growth on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy"Phys. Stat. Sol. (b). 240, No. 5. 314-317 (2003)
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J.Brault：“通过分子束外延在邻位 SiC (0001) 衬底上生长 AIN 的特性”Phys。
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