Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures
Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures
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通过深度蓝宝石氮化和高温预流铝，改善了 MOVPE 生长的 GaN 外延层的结晶度和极性控制
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B.W.Seo;Y.Ishitani;A.Yoshikawa
