Effect of Post Plasma Treatment on Reliability and Dielectric Properties of SiOF Films Deposited by ECRCVD With SiF 4 and O 2
Effect of Post Plasma Treatment on Reliability and Dielectric Properties of SiOF Films Deposited by ECRCVD With SiF 4 and O 2
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后等离子体处理对SiF 4 和O 2 ECRCVD沉积SiOF薄膜可靠性和介电性能的影响
DOI：
10.1557/proc-476-291
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seoghyeong Lee;Jae;K. Oh;Jong
