MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諾特性
MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諾特性
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MOCVD法研究多孔硅衬底上GaN的核性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中西正美
中科院分区：
文献类型：
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作者：
嶋中啓太;石川博康;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美
