Monte Carlo simulation of defect formation in ZnSe/GaAs heterovalent epitaxy
Monte Carlo simulation of defect formation in ZnSe/GaAs heterovalent epitaxy
复制标题
ZnSe/GaAs异价外延缺陷形成的蒙特卡罗模拟
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)00794-1
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发表时间：
2001
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Sano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nakayama;K. Sano
