Influence of tantalum/tantalum nitride barriers and caps on the high-temperature properties of copper metallization for wide-band gap applications
Influence of tantalum/tantalum nitride barriers and caps on the high-temperature properties of copper metallization for wide-band gap applications
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DOI：
10.1016/j.mee.2015.01.023
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发表时间：
2015-04
影响因子：
2.3
通讯作者：
S. Mardani;H. Norström;U. Smith;J. Olsson;Shi-Li Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Mardani;H. Norström;U. Smith;J. Olsson;Shi-Li Zhang
