Monolithically integrated InGaN-based multicolor light-emitting diodes fabricated by wide-sripe selective area metal-organic vapor phase epitaxy
Monolithically integrated InGaN-based multicolor light-emitting diodes fabricated by wide-sripe selective area metal-organic vapor phase epitaxy
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宽幅选区金属有机气相外延单片集成InGaN基多色发光二极管
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
2.3
通讯作者：
Yoshiaki Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomonari Shioda;Masakazu Sugiyama;Yukihiro Shimogaki;Yoshiaki Nakano
