1.2 MW peak power, all-solid-state picosecond laser with a microchip laser seed and a high gain single-passing bounce geometry amplifier
1.2 MW peak power, all-solid-state picosecond laser with a microchip laser seed and a high gain single-passing bounce geometry amplifier
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1.2 MW 峰值功率全固态皮秒激光器，配有微芯片激光种子和高增益单程反射几何放大器
DOI：
10.1016/j.optlastec.2016.05.016
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发表时间：
2016-11
影响因子：
5
通讯作者：
Liu Chong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Chunhua;Shen Lifeng;Zhao Zhiliang;Liu Bin;Jiang Hongbo;Chen Jun;Liu Chong
采用半导体可饱和吸收镜（SESAM）实现了Nd：YVO 4微片种子激光器的被动调Q，在20 μW ~ 10 mW的范围内，通过单通Nd：YVO 4反跳放大器对脉冲宽度为90 ps、重复频率为100 kHz的Nd：YVO 4微片种子激光器进行放大。为了提高Nd：YVO 4反射放大器的热负荷传递性能，采用液态纯金属导热油代替传统的薄铟箔作为热接触材料。用红外热像仪测量了泵表面的温度分布，并与数值模拟结果进行了比较。在平均种子功率为10 mW时，获得了最高单次通过功率11.3 W，脉冲峰值功率约为1.25 MW，脉冲能量约为113 μJ。光束质量保持良好，M2≤1.25。该反射激光放大器结构简单，使系统灵活、稳定、成本低，具有广阔的应用前景。
A semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) based passively Q-switched microchip Nd:YVO4seed laser with pulse duration of 90 ps at repetition rate of 100 kHz is amplified by single-passing a Nd:YVO4bounce amplifier with varying seed input power from 20 µW to 10 mW. The liquid pure metal greasy thermally conductive material is used to replace the traditional thin indium foil as the thermal contact material for better heat load transfer of the Nd:YVO4bounce amplifier. Temperature distribution at the pump surface is measured by an infrared imager to compare with the numerically simulated results. A highest single-passing output power of 11.3 W is obtained for 10 mW averaged seed power, achieving a pulse peak power of ~1.25 MW and pulse energy of ~113 µJ. The beam quality is well preserved with M2≤1.25. The simple configuration of this bounce laser amplifier made the system flexible, robust and cost-effective, showing attractive potential for further applications.
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影响因子：
3.8
作者：
A. Teppitaksak;G. Thomas;M. Damzen
通讯作者：
A. Teppitaksak;G. Thomas;M. Damzen
影响因子：
4
作者：
FIELDS, RA;BIRNBAUM, M;FINCHER, CL
通讯作者：
FINCHER, CL
DOI：
10.1007/s00340-004-1544-0
发表时间：
2004-06
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
--
作者：
S. Chénais;S. Forget;F. Druon;F. Balembois;P. Georges
通讯作者：
S. Chénais;S. Forget;F. Druon;F. Balembois;P. Georges
DOI：
10.1364/josab.27.000b63
发表时间：
2010-11-01
影响因子：
1.9
作者：
Richardson, D. J.;Nilsson, J.;Clarkson, W. A.
通讯作者：
Clarkson, W. A.
影响因子：
3.6
作者：
E. Mehner;B. Bernard;H. Giessen;D. Kopf;B. Braun
通讯作者：
E. Mehner;B. Bernard;H. Giessen;D. Kopf;B. Braun