Numerical simulation of write-operation in MRAM memory cell array with magnetostatic interaction
Numerical simulation of write-operation in MRAM memory cell array with magnetostatic interaction
复制标题
静磁相互作用 MRAM 存储单元阵列写入操作的数值模拟
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nozaki et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nozaki et al.
