Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy
Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy
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使用 h-BN 缓冲层通过分子束外延在 (0001) 蓝宝石衬底上生长单晶 (0001) GaN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kumakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kobayashi;K. Nakata;H. Nakazawa;H. Okamoto;M. Hiroki;K. Kumakura
