Perpendicular magnetic anisotropy of FePt film on Si substrate with SiO2 underlayer and B4C interlayers
Perpendicular magnetic anisotropy of FePt film on Si substrate with SiO2 underlayer and B4C interlayers
复制标题
SiO2 底层和 B4C 中间层 Si 衬底上 FePt 薄膜的垂直磁各向异性
DOI：
10.1016/j.jmmm.2009.03.059
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发表时间：
2009-09
影响因子：
2.7
通讯作者：
Mo, Q.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, H. B.;Yang, F. J.;Zhang, J.;Wang, Y.;Wang, H.;Mo, Q.
采用磁控溅射法制备了含B_4C和不含B_4C的FePt多层复合薄膜，并进行了真空退火处理。结果表明，B4 C层有效地起到了隔离层的作用，增强了FePt合金的（001）取向。我们的研究结果表明，高度（001）取向的FePt/B4 C薄膜作为垂直记录介质具有显着的潜力。
FePt multilayer composite films with and without B4C interlayer have been prepared by magnetron sputtering, respectively, and subsequent annealing in vacuum. It was found that the B4C layers effectively serve as spacers to separate the FePt layers, enhancing (001) orientation of FePt alloy. Our results show that highly (001) oriented FePt/B4C films have significant potential as perpendicular recording media.
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