Distributed feedback laser employing buried GaAs/InGaP index-coupled grating
Distributed feedback laser employing buried GaAs/InGaP index-coupled grating
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采用掩埋式 GaAs/InGaP 折射率耦合光栅的分布式反馈激光器
DOI：
10.1049/el.2010.1605
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发表时间：
2010
影响因子：
1.1
通讯作者：
Stevens B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Stevens B
提出了一种基于标准AlGaAs上包层在图图化InGaP上再生的gaas分布式反馈激光器的实现方法。在制造过程中，避免了暴露的AlGaAs表面上的再生。将光栅技术应用于发射波长为1µm的In0.17Ga0.83As双量子阱激光器，得到了约30 dB的侧模抑制效果。
The realisation of a GaAs-based distributed feedback laser based upon regrowth of standard AlGaAs upper cladding upon patterned InGaP is presented. Regrowth upon exposed AlGaAs surfaces during its fabrication is avoided. Gratings technology is applied to an In0.17Ga0.83As double quantum well laser emitting at 1 µm and demonstrates ~30 dB sidemode suppression with as-cleaved facets.
基于InGaAs-GaAs量子点的宽范围可调谐横向耦合分布式反馈激光器
影响因子：
2.6
作者：
M. Muller;F. Klopf;M. Kamp;J. Reithmaier;A. Forchel
通讯作者：
A. Forchel
高功率、单模、无铝 InGaAs(P)/InGaP/GaAs 分布式反馈二极管激光器
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Mawst;H. Yang;M. Nesnidal;A. Al;D. Botez;T. Vang;F. Alvarez;R. Johnson
通讯作者：
R. Johnson
MOCVD 生长的 AlGaAs/GaAs 分布反馈激光二极管
DOI：
--
发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ohata;K. Honda;S. Hirata;K. Tamamura;H. Ishikawa;K. Miyahara;Y. Mori;C. Kojima
通讯作者：
C. Kojima