Solution-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires
Solution-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires
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DOI：
10.1021/ja8011353
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发表时间：
2008-04-23
影响因子：
15
通讯作者：
Korgel, Brian A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Heitsch, Andrew T.;Fanfair, Dayne D.;Korgel, Brian A.
在这里，我们报告的溶液-液体-固体（SLS）合成硅（Si）纳米线。在Au或Bi纳米晶体的存在下，通过在高沸点溶剂、二十八烷（C28 H58）或角鲨烷（C30 H62）中的三硅烷（Si 3 H8）分解来生长纳米线。据我们所知，这是第一次报告的胶体合成路线进行溶剂中，在大气压下，提供大量的结晶硅纳米线。
Here we report the solution-liquid-solid (SLS) synthesis of silicon (Si) nanowires. Nanowires are grown by trisilane (Si3H8) decomposition in a high boiling solvent, octacosane (C28H58) or squalane (C30H62), in the presence of either Au or Bi nanocrystals. To our knowledge, this is the first report of a colloidal synthetic route carried out in a solvent at atmospheric pressure that provides crystalline Si nanowires in large quantities.