Characterization of Patterned Oxide Buried in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy
Characterization of Patterned Oxide Buried in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy
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通过近红外散射形貌和显微镜表征绝缘体上键合硅晶圆中埋入的图案化氧化物
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xing WU;et al.
