Growth, properties and devices of gallium-oxide-based widegap semiconductors
Growth, properties and devices of gallium-oxide-based widegap semiconductors
复制标题
氧化镓基宽禁带半导体的生长、性能和器件
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
二之宮成樹;藤森佑人;川崎朋晃;田中正俊;大野真也;関谷隆夫;Yuzo Shinozuka;Shizuo Fujita
