K.Fukuda et al.: "Electron-cyclotron-resonance plasma-enhanced chemical-vapor-deposition of epitaxial Si without substrate heating by ultraclean processing." Applied Physics Letters. 59. 2853-2855 (1991)
K.Fukuda et al.: "Electron-cyclotron-resonance plasma-enhanced chemical-vapor-deposition of epitaxial Si without substrate heating by ultraclean processing." Applied Physics Letters. 59. 2853-2855 (1991)
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K.Fukuda 等人：“电子回旋共振等离子体增强外延硅化学气相沉积，无需通过超净处理加热基板。”
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