Atomistic insights into defect formation mechanism in single crystal SiC based on molecular dynamics simulation
Atomistic insights into defect formation mechanism in single crystal SiC based on molecular dynamics simulation
复制标题
基于分子动力学模拟的单晶SiC缺陷形成机制的原子洞察
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenji Nishimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高田健太郎;尾田幸介;吉田紘基;今村祐亮;Ken-ichi Saitoh;Yoshihiro Takai;Kentaro Takada;Kenji Nishimura
