Ultranthin HfON/SiO2 Dual Tunneling Layer for Improving the Electrical Properties of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Memory-猫眼课题宝

超薄 HfON/SiO2 双隧道层可改善金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器的电性能

DOI：

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发表时间：

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期刊：

Thin Solid Films

影响因子：

2.1

通讯作者：

中科院分区：

材料科学3区

文献类型：

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作者：

L. Liu;J. P. Xu;J. X. Chen;X. D. Huang;P. T. Lai