Electron mobility calculations of free-standing Si-nanowires with atomistic electron-phonon interactions
Electron mobility calculations of free-standing Si-nanowires with atomistic electron-phonon interactions
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具有原子电子声子相互作用的独立式硅纳米线的电子迁移率计算
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Matsuto Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshihiro Yamada;Hideaki Tsuchiya;Matsuto Ogawa
