Comparison of photo- and plasma-assisted passivating process effects on GaAs devices by means of low-frequency noise measurements
Comparison of photo- and plasma-assisted passivating process effects on GaAs devices by means of low-frequency noise measurements
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通过低频噪声测量比较光辅助钝化工艺和等离子体辅助钝化工艺对 GaAs 器件的影响
DOI：
10.1016/0038-1101(94)00100-t
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发表时间：
1995
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. Ruszinkó
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Gottwald;R. Riemenschneider;B. Szentpáli;H. Hartnagel;Z. Kincses;M. Ruszinkó
