A.Nakajima: "Low-Temperature Foramation of Silicon Nitride Gate Dielectrics by Atomic-Layer Deposition"Appl. Phys. Lett.. 79. 665-667 (2001)
A.Nakajima: "Low-Temperature Foramation of Silicon Nitride Gate Dielectrics by Atomic-Layer Deposition"Appl. Phys. Lett.. 79. 665-667 (2001)
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A.Nakajima：“通过原子层沉积低温形成氮化硅栅极电介质”Appl。
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