半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
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横向注入激光进入半绝缘衬底上的GaInAsP薄膜以实现半导体薄膜激光器
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
荒井滋久
中科院分区:
文献类型:
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作者:
奥村忠嗣;黒川宗高;白尾瑞基;近藤大介;伊藤瞳;西山伸彦;荒井滋久