Molecular dynamics study on damage formation in atomic layer etching of Si with halogen radicals
Molecular dynamics study on damage formation in atomic layer etching of Si with halogen radicals
复制标题
卤素原子层硅刻蚀损伤形成的分子动力学研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Erin Joy C. Tinacba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takayanagi Tadashi;Uetoko Takahiro;Erin Joy C. Tinacba
