Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE
Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE
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衬底氮化和缓冲层对MOVPE半极性InN(10-13)晶体在GaAs(110)上结晶改善的影响
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
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发表时间：
2013
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.C. Cho;R. Togashi;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
