Position-controlled growth of GaAs nanowires on Si (111) by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy
Position-controlled growth of GaAs nanowires on Si (111) by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy
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通过选区金属有机气相外延在 Si (111) 上位置控制生长 GaAs 纳米线
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tomioka;Y. Kobayashi;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
