S.Abe, T.Inaoka, M.Hasegawa: "Evolution of electron states at a narrow-gap semiconductor surface in an accumulation-layer formation process"Physhical Review B. 66・20. 205309(8) (2002)
S.Abe, T.Inaoka, M.Hasegawa: "Evolution of electron states at a narrow-gap semiconductor surface in an accumulation-layer formation process"Physhical Review B. 66・20. 205309(8) (2002)
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S.Abe、T.Inaoka、M.Hasekawa：“累积层形成过程中窄带隙半导体表面的电子状态的演化”Physical Review B. 66・20（2002）。
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