Surface polishing of 2-inch 4H-SiC wafer using Fe abrasive particles
Surface polishing of 2-inch 4H-SiC wafer using Fe abrasive particles
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使用 Fe 磨粒对 2 英寸 4H-SiC 晶圆进行表面抛光
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mutsumi Touge
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akihisa Kubota;Yuya Ichimori;Mutsumi Touge
